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TT8U1
Data Sheet
10
1
V GS =0V
Pulsed
250
200
Ta=25°C
Pulsed
10000
1000
t f
t d (off)
Ta=25°C
V DD = -10V
V GS = -4.5V
R G =10 Ω
Pulsed
150
Ta=125°C
Ta=75°C
100
I D = -2.4A
100
0.1
Ta=25°C
Ta=-25°C
50
I D = -1.2A
10
t r
t d (on)
0.01
0
0.5
1
1.5
0
0
2
4
6
8
10
1
0.01
0.1
1
10
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : -V SD [V]
Fig.10 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS [V]
Fig.11 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.12 Switching Characteristics
5
4
3
10000
1000
Ciss
Ta=25°C
f=1MHz
V GS =0V
100
10
1
pulsed
Ta = 125 ℃
Ta = 75 ℃
Coss
0.1
2
Ta=25°C
V DD = -10V
100
0.01
Ta = 25 ℃
1
0
I D = -2.4A
R G =10 ?
Pulsed
10
Crss
0.001
Ta= - 25 ℃
0
2
4
6
8
0.01
0.1
1
10
100
0.0001
0
10
20
30
40
10000
1000
100
10
1
0.1
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.13 Dynamic Input Characteristics
pulsed
Ta = 125 ℃
Ta = 75 ℃
Ta= 25 ℃
Ta= - 25 ℃
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.14 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
REVERSE VOLTAGE : V R [V]
Fig.15 Reverse Current vs. Reverse Voltage
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
FORWARD VOLTAGE : V F [V]
Fig.16 Forward Current vs. Forward Voltage
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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